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単結晶育成炉

簡単な説明:

単結晶炉は単結晶炉とも呼ばれ、不活性ガス(窒素、ヘリウムガス)環境下でポリシリコンなどの多結晶材料をグラファイトヒーターで溶解し、ダイレクトプル法により無転位の単結晶を育成する装置です。


製品の詳細

製品タグ

応用

シリコン、サファイア、ゲルマニウムの半導体インゴットの成長によく使用される単結晶炉。一般的なレイアウトは、前開きのドアからアクセスできる垂直クリスタル プラーです。

利点

安定性と制御という、重要な成長に必要な 2 つの最も重要なパラメータを確保できます。両方とも、一貫性、再現性、均一性を達成するために必要であり、これらは実験室および生産現場での結晶成長を成功させる鍵となります。

1. 安定性は、結晶成長者に、要求の厳しい結晶成長のための既知の一定の環境を提供します。安定性により、均一で厳密に定義された温度と温度勾配が確保され、一貫した溶融とゾーンリファイニングが実現します。安定性を確保するには、十分に制御されたガス環境または真空環境が必要です。結晶成長の安定性には、ダイナミックレンジが大きく、プログラム可能な一次および二次導関数、および多軸構成を備えた、スムーズで非常に一定した振動のない動作が必要ですが、すべてを制御する必要があります。

2. 制御は、設定した温度を正確に保持し、最小限のオーバーシュートで新しい値に迅速かつスムーズに一定に変化する自動コンピューター システム インターフェイスを通じて実現されます。モーション システムは、時間と空間の両方で、瞬間から瞬間、および週から週にわたって非常に一貫した引き上げ速度を提供する必要があります。結晶成長システムから一貫した再現可能な結果を​​保証するには、完全な描画サイクルを通じて位置精度を維持する必要があります。

3. 完全な統合された精密結晶成長装置を提供します。自動直径制御、最先端のるつぼ技術を備えています。

詳細図

精密鋳造炉

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